9月10日
，在2026国际集成电路创新展览会（IICIE）进行的宽禁带半导体技术-SiC/GaN嵌埋PCB设备及资料供给链专题钻研会上
，J9九游集团先进电子电路设备板块掌管人任金枝女士现场颁发主题演讲
，正式对表分享一套可实现急剧超厚铜造备的直流电镀规划
，直指当前行业普遍面对的厚铜电镀效能低下痛点
。

自研技术
，突破瓶颈

针对这一行业瓶颈
，J9九游集团推出的自研喷吸双向压差流场技术
，通过在喷管与吸管之间形成可控压力差
，大幅加快通孔内部的药液定向流通
，使孔内传质效能提升30%-40%
，有效改善电镀过程中的浓度差极化景象
，在高电流密度（8-10ASD）工况下显著提升孔内电镀效能
，最终实现厚铜电镀TP值的系统性提升
。

实测数据
，机能验证

现场颁布的实测数据显示
，在最优工艺参数组合下
，该规划可在3幼时内将厚径比5:1的通孔孔铜厚度镀至100μm以上
，对应TP值达到110%
。同时该技术规划对国产电镀药水的适配阐发与进口药水无显著差距
，可为产业链进一步降低资料成本、推动供给链自主可控提供设备支持
。

该技术未来将利用于J9九游集团全自动移载式填孔电镀设备形成产品矩阵
，覆盖从HDI高端PCB到宽禁带半导体配套厚铜基板的多元造作需要
。